6-ое поколение Vertical NAND от Samsung

Южнокорейский производитель Samsung, крупнейший игрок на рынке чипов памяти для solid state drive и карт памяти 1гб, продемонстрировал чипы памяти Vertical NAND Generation 6, которые для увеличения плотности и достижения максимального объема обладают более 100 слоями. Чтобы достичь подобных результатов, компания Samsung разработала новую технологию проектирования схем. Новое поколение чипов демонстрирует на 10% меньшие задержки и на 15% меньшее энергопотребление по отношению к Vertical NAND Generation 5.

Отличия и преимущества V-NAND G6

Vertical NAND Generation 6 обладает до 136 слоями и ячейками Charge Trap Flash. Обновленная память использует один стек и не использует технологию укладки строк для построения более ста слоев. Применение новой технологии проектирования схем позволило обеспечить минимальные ошибки и малые задержки. Таким образом, трехмерные NAND чипы TLC объемом 256 гигабит демонстрируют задержку меньше 450 микросекунд для операций write и меньше 45 микросекунд для операций read, что на 10% быстрее по отношению к чипам V-NAND предыдущей версии. Также значительным преимуществом новых Vertical NAND G6 является большая энергоэффективность, достигающая 15% экономии. Еще одним преимуществом устройств нового поколения перед предшественником является меньшее количество технологических этапов при изготовлении.

Дальнейшие планы Samsung

Производитель Samsung намерен применять свою 136 слойную архитектуру чипов с усовершенствованной по скорости схемой для изготовления следующей версии Vertical NAND с свыше 300 слоями, путем монтажа трех 136 слойных стеков один на другого и получая на выходе трехкратный объем памяти.

Твердотельный накопитель V-NAND Gen6

На первых этапах производитель намерен поставлять чипы 3D NAND TLC емкостью 256 гигабит с 136 слойной Vertical NAND, которые будут использоваться для изготовления SSD носителей Samsung начальным объемом 250 гигабайт. К концу текущего года Samsung намерена начать выпускать 136 слойные чипы Vertical NAND объемом 512 гигабит, которые станут основой для других конфигураций твердотельных носителей SSD IDE/ SATA/ PCIe значительно большего объема, а также для систем хранения Embedded Universal Flash Storage.

Необходимо обратить внимание, что первый твердотельный накопитель объемом 256 гигабайт на базе Vertical NAND G6 поколения будет использовать новый чип управления S4LR030 / S94G4MW2 от Samsung, а это позволит достичь новых уровней производительности и эффективности SSD приводов.