Главное Свежее Вакансии   Проекты
Продвинуть свой проект
31 0 В избр. Сохранено
Авторизуйтесь
Вход с паролем

DDR4 и LPDDR4X объемом 16 гигабит от Micron

Компания Micron приступила к серийному производству чипов высокой плотности DDR4 и LPDDR4X объемом 16 гигабит, отличающихся высокой производительностью и энергоэффективностью.

Американский производитель Micron анонсировал старт серийного производства устройств памяти на основе технологического процесса 3-го поколения 10 нанометрового класса, 1Z нм. Первыми микросхемами памяти, изготовленными по технологии 1Z nm, будут чипы DDR4 и LPDDR4X объемом 16 гигабит.

dram-16gbit-ddr4-d0bed182-micron.jpg

Технология 3-его поколения

Технология 3-го поколения 10 нанометрового класса даст возможность Micron повысить битовую плотность и уровень производительности, а также уменьшить потребление энергией по сравнению с микросхемами 2-го поколения 10 нанометрового класса, 1Y нм. Производитель заявил, что ее чипы DDR4 16 гигабит расходуют на 40% меньше электроэнергии, чем два чипа DDR4 8 гигабит с идентичными тактовыми частотами. Также стоит отметить, что чипы LPDDR4X 16 гигабит от Micron позволят снизить энергопотребление до 10%. В целом, чипы высокой плотности на основе технологии 1Z нм позволят Micron дешевле изготавливать микросхемы памяти большого объема для бюджетных решений.

Микросхемы 16Gbit DDR4

Micron не предоставила данные скорости DDR4 DRAM 16 гигабит, но предполагается, что они будут находиться в диапазоне стандартов JEDEC. Первыми продуктами с использованием микросхем памяти DDR4 16 гигабит будут модули DRAM свыше 32 гигабайт для ПК, ноутбуков и Workstation, включая комплекты оперативной памяти для imac 2019 и mac mini 2018.

Микросхемы 16Gbit LPDDR4X

Чипы мобильной памяти 16 гигабит LPDDR4X от Micron обеспечивают скорость до 4266 МТ/сек. Стоит обратить внимание, что вместе с пакетами LPDDR4X объемом до 16 гигабайт (8 микросхем по 16 гигабит) для флагманских моделей смартфонов, Micron представит мультичиповые пакеты на основе UFS, сочетающие в себе NAND и DRAM память. Линейка продуктов UFS для бюджетных моделей телефонов будет содержать конфигурации от 64ГБ NAND с 3ГБ DRAM до 256ГБ NAND с 8ГБ DRAM.

Выбор производственной площадки

Micron не поделилась информацией о том, на какой заводе она начнет производство новых чипов DDR4 и LPDDR4X по технологии 1Z нм, но ранее подобные серийные производства с применением новых технологических процессов компания начинала на заводе в Хиросиме, Японии, осуществляющем выпуск чипов памяти для специализированных модулей cb423a. Также ряд экспертов утверждает, что в текущем году компания Micron планирует запустить производство микросхем 1Z нм на своих производственных мощностях в близи Тайчжуна, Тайвань.

-1
В избр. Сохранено
Авторизуйтесь
Вход с паролем
Комментарии
Первые Новые Популярные
Комментариев еще не оставлено
Выбрать файл
Блог проекта
Расскажите историю о создании или развитии проекта, поиске команды, проблемах и решениях
Написать
Личный блог
Продвигайте свои услуги или личный бренд через интересные кейсы и статьи
Написать
Комментарии