Главное Авторские колонки Вакансии Вопросы
Выбор редакции:
294 0 В избр. Сохранено
Авторизуйтесь
Вход с паролем

Корпорация TSMC выводит производительность чипов на новый уровень с передовыми технологиями N3P и N3X

Тайваньский производитель микросхем, компания TSMC смогла успешно изготовить первый в мире чип, созданный по улучшенной 3-нм технологии N3E. Причём уровень ошибок не превысил значений, которые были выявлены при реализации техпроцесса N5.
Мнение автора может не совпадать с мнением редакции

Корпорация планирует выпустить пять вариаций этой технологии. N3 будет представлена для таких клиентов, как американские компании Apple и AMD. Использование инновации обеспечит быстрое и более дешевое производство чипов. Одновременно повысится производительность микросхем и снизится их энергопотребление. Эксперты «ЗУМ-СМД» выяснили, какие обновления реализованы в передовых разработках.

Какие улучшения в новых технологиях TSMC

Компания TSMC уже начала массовое производство чипов с технологией N3E, в которой плотность транзисторов увеличена на 4%. Это повышает производительность чипа, примерно, на 5%, а энергопотребление снижается до 5 — 10%, при работе на тех же частотах. Для современной микроэлектроники это значительный прорыв. Производитель, получивший процессоры такой технологии будет вне конкуренции.

После этого TSMC намерены создать чипы, используя технологии N3S и N3P. Это будут микросхемы с ещё более высокой плотностью транзисторов и с лучшей производительностью. N3P поддерживает совместимость с IP-модулями технологии N3E. Так что большинство новых конструкций чипов могут переходить от N3E к N3P, наследуя ее улучшенную производительность и энергоэффективность.

Ожидается, что окончательная подготовка к производству N3P завершится во второй половине 2025 года. Оптимизация технологий 3NM класса для высокопроизводительных процессоров не останавливается на N3P. Основной технологией для высокопроизводительных процессоров станет N3X. Этот техпроцесс имеет целый ряд особенностей, связанных с очень большим (для 3-нанометровых размеров транзистора) напряжением питания, до 1,2 В.

Казалось бы, такая специфика чипа может привести не только к отсутствию роста экономичности, но даже к увеличению энергопотребления. Но, на практике разработчикам удалось добиться снижения потребления энергии кристаллом на 7%. При этом плотность транзисторов составляет 1,1 x. Ожидается, что крупные производители, будут использовать эту технологию в своей линейке процессоров 2025 года, включая SoC для смартфонов, ПК и планшетов.

Техпроцесс N3AE обеспечивает оптимальное решение для автомобильных применений на наиболее передовой кремниевой технологии. Для автоклиентов TSMC готовится доставить пару новых специализированных узлов с техпроцессами N4AE и N3AE. Новые автомобильные микросхемы будут соответствовать гораздо более высоким параметрам безопасности и надежности.

Для клиентов, которые нуждаются в высокопроизводительных интегральных компонентах автомобильного класса N3AE, компания TSMC может представить их в конце года. А производители, которые хотят выставлять чипы на рынок раньше, чтобы управлять менее критическими системами в автомобиле, такими как цифровые кабины и другие системы, могут уже планировать производство по технологии N4AE.

0
В избр. Сохранено
Авторизуйтесь
Вход с паролем
Комментарии
Выбрать файл
Блог проекта
Расскажите историю о создании или развитии проекта, поиске команды, проблемах и решениях
Написать
Личный блог
Продвигайте свои услуги или личный бренд через интересные кейсы и статьи
Написать

Spark использует cookie-файлы. С их помощью мы улучшаем работу нашего сайта и ваше взаимодействие с ним.